Samsung Galaxy S8 ar putea fi dotat cu Snapdragon 835: ce specificații va avea procesorul

Samsung Galaxy S8 ar putea include un Snapdragon 835, iar specificațiile procesorului au apărut de curând pe internet.

Samsung Galaxy S8 ar putea debuta pe piață în primele luni ale anului viitor, iar pe parcursul timpului am avut parte de mai multe zvonuri în legătură cu specificațiile acestuia. Samsung Galaxy S8 ar trebui să fie construit în jurul unui panou 4K cu o diagonală de 5,2 inci. Acesta ar putea fi primul telefon cu 6GB RAM al Samsung, dar și primul care va beneficia de Snapdragon 835.

Samsung a devenit un concurent din ce în ce mai important pentru Qualcomm, în condițiile în care compania americană domina în mod clar piața semiconductorilor la un moment dat. De ceva timp, însă, cele două au început să colaboreze, iar în urmă cu câteva zile, ele au confirmat faptul că vor dezvolta împreună și procesorul Snapdragon 835.

Așa cum am mai spus, va fi folosit procesul de fabricare pe 10 nanometri FinFET, iar modificările implementate permit creșterea vitezei cu până la 27%. Mai multe informații în legătură cu specificațiile procesorului au ieșit de curând la suprafață, Phonearena menționând că acesta va include opt nuclee, nu patru, precum Snapdragon 820 sau 821. De asemenea, americanii vor apela la o nouă unitate pentru procesare grafică: Adreno 540.

În plus, dezvoltatorii ar urma să includă și tehnologia UFS 2.1 (Universal Flash Storage), care va proteja datele utilizatorilor într-un mod mai eficient. În ceea ce privește disponibilitatea, se pare că Snapdragon 835 va fi disponibil pe piață în primul trimestru al anului 2017, iar coreenii vor fi printre primele companii care se vor folosi de el.

Leak-ul recent menționează și un al doilea procesor Qualcomm, care ar trebui să fie lansat în al doilea trimestru al anului 2017. Numit Snapdragon 660, acesta ar beneficia de opt nuclee, de un GPU Adreno 512 și de tehnologie UFS 2.1. Totuși, în cazul lui, nu va fi folosit procesul de fabricația pe 10 nanometri, optându-se, în schimb, pentru cel pe 14 nanometri.