Micron va introduce tehnologia Hybrid Memory Cube în 2015

Micron plănuiește să lanseze în viitorul apropiat, tehnologia Hybrid Memory Cube. 2015 va fi anul în care producătorul plănuiește să intre pe piață cu memorie RAM de 15 ori mai rapidă ca DDR3.

Sistemul Hybrid Memory Cube de la Micron, se bazează pe ideea mai veche de a conecta mai multe cipuri de memorie între ele, pe verticală, fără a mai folosi un PCB. Acest tip de amplasare ar reduce semnificativ latența memoriei RAM și desigur și amprenta acesteia pe placa de bază. Până acum nu a fost necesară o astfel de abordare, mai ales că producătorii de memorie au ales varianta clasică și standardul DDR4, la implementarea căruia lucrează acum toți.

Hybrid Memory Cube ar oferi în teorie o viteză de 15 ori mai mare decât actuala memorie DDR3 și de aproximativ 5 ori mai mare decât specificațiile standardului DDR4. Alături de viteza net superioară, consumul de energie ar fi și el redus cu aproximativ 70%. Micron plănuiește să își atingă scopul prin așezarea cipurilor de memorie, vertical, și interconectându-le prin sistemul ”Trough Silicon Via”. Acest sistem ar necesita desigur ca memoria RAM să fie lipită direct pe placa de bază, aproape de CPU.

Mike Black de la Micron Technology a confirmat faptul că aceste module nu vor avea design-ul unui DIMM clasic. Cipurile HMC vor fi de 4 și de 8 GB, și vor fi disponibile în primă fază pentru servere și testele inițiale. Există șanse ca aceste memorii HMC să fie implementate pentru cipurile intel Xeon Phi cu numele de cod ”Kniights Landing” iar implementarea DDR4 să fie folosită doar pentru cache-ul temporar.