Samsung produce memorii DDR3 de 4 GB în litografia de 20 nm

Samsung a anunțat astăzi că începe producția pentru memorii DDR3, în tehnologia de fabricație pe 20 nm.

Chiar dacă SSD-urile au crescut exponențial în capacitate în ultimii ani, memoriei RAM îi este puțin mai greu să țină pasul în această direcție. Vinovat este tipul de construcție al memoriei. Dacă NAND Flash-ul folosit pentru SSD-uri are nevoie de doar un tranzistor pe celulă, memoria DRAM necesită un condensator și un tranzistor, legate între ele, pentru fiecare celulă. Samsung folosește acum un proces de producție îmbunătățit pentru a continua scalarea acestui tip de memorie.

Procesul de fabricație pe 20 nm, folosind noua tehnologie, este util din două puncte de vedere. În primul rând, îi permite companiei să producă aceste memorii DDR3 pe 20 nm, în al doilea rând, stă la baza următoarei generații de produse în litografia de 10 nm.

Motivul sinistru pentru care Kate Middleton ține mereu haine de doliu în mașină. Puțini s-ar fi gândit la asta

Răspunsul oficial al Ucrainei pentru interdicția lui George Simion pe teritoriul statului: „Activități antiucrainene sistematice ale acestui politician”

”Noua tehnologie eficientă de producție pe 20 nanometri a memoriei DDR3 se va extinde rapid în industria IT, ajungând rapid și pe segmentul de mainstream. Samsung va continua să livreze următoarea generație de memorii DRAM, produsă în condiții ecologice, înaintea competiției, în timp ce contribuie la creșterea pieței de IT, în colaborare strânsă cu principalii noștri clienți.” a declarat vicepreședintele companiei,  Young-Hyun Jun.

Cu ajutorul noii tehnologii, vine și o productivitate mai ridicată. Samsung spune că este vorba de un volum cu 30% mai mare decât cel anterior, de 25 nm, în aceleași condiții, și de două ori mai mare decât producția modulelor în 30 nanometri. Noile module sunt cu 25 procente mai eficiente din punct de vedere al consumului de energie.