Noile memorii RAM ne-ar putea oferi telefoane ultrarapide

Samsung și IBM lucrează încă de anul trecut la un nou tip de memorie RAM pentru telefoane, care ar putea revoluționa industria.

Noul proces de fabricație pentru memoriile RAM reușește să creeze unități nevolatile care sunt de până la 100.000 de ori mai rapide decât memoriile flash NAND. În plus, noile memorii nu se deteriorează, astfel că pot fi folosite și ca mediu de stocare.

Această nouă memorie este cunoscută ca RAM magnetorezistiv, sau MRAM, fiind produsă cu ajutorul tehnologiei STT (spin-transfer torque). Astfel, companiile vor avea posibilitatea de a crea noi cipuri de memorie pentru dispozitive mobile, purtabile și device-uri IoT. Cu această ocazie, dispozitivele vor putea renunța la memoriile clasice de tip NAND. Un mare avantaj al memoriei MRAM este că poate înlocui atât memoria RAM, folosită pentru procesare, cât și pe cea NAND, utilă pentru stocarea de date.

Memoria STT-MRAM poate fi folosită în cadrul dispozitivelor unde ar trebui să folosească puțină energie electrică. O astfel de memorie nu folosește curent când nu este folosită activ, deoarece nu este volatilă.

Motivul sinistru pentru care Kate Middleton ține mereu haine de doliu în mașină. Puțini s-ar fi gândit la asta

Răspunsul oficial al Ucrainei pentru interdicția lui George Simion pe teritoriul statului: „Activități antiucrainene sistematice ale acestui politician”

Conform unor noi informații, Samsung ar fi gata să dezvăluie noile memorii MRAM la evenimentul Foundry Forum, de pe 24 mai. Cel mai probabil, compania ar fi gata să prezinte în detaliu noua memorie la acest eveniment, scrie sammobile.com.

MRAM are nevoie de doar 10 nanosecunde pentru a scrie date, comparativ cu 1 milisecundă pentru NAND, astfel că noua tehnologie este 100.000 de ori mai rapidă la scriere. De asemenea, este de 10 ori mai rapidă la citire.

Memoria nici nu se uzează, un aspect foarte important datorită aplicației duble a acesteia. Tehnologia STT folosește un curent slab pentru a schimba un bit din 0 în 1 și viceversa. Datele sunt stocate ca o stare magnetică, în comparație cu stocarea ca încărcătură electronică, astfel că bitul de memorie este nevolatil și nu vine cu problemele de degradare, asociate cu tehnologia NAND.