1 TB de memorie într-un singur telefon prin tehnologia RRAM

Cercetătorii de la Universitatea Rice din Statele Unite sunt pe cale să creeze prototipul unei memorii RAM care ar putea avea, la un moment dat, chiar și 1 TB.

Memoria despre care vorbim se numește RRAM (țineți minte denumirea aceasta, într-o zi ar putea deveni reper) și vine de la Resistive Random Access Memory. Tehnologia e dezvoltată de mai multe companii, dar fabricarea ei înseamnă de obicei folosirea unor temperaturi foarte înalte, la fel și voltaje crescute. Astfel, producția e dificilă și scumpă. Cercetătorii de la Universitatea Rice au demonstrat o metodă prin care se poate fabrica RRAM la temperatura camerei și la voltaje mult mai scăzute.

RRAM poate stoca data fără alimentare permanentă, cam așa cum funcționează memoria flash de pe stick-urile USB: RRAM stochează biți folosind rezistența. De asemenea, e mai ușor să aduni la un singur loc layerele de RRAM, astfel fiind mai ușor să creștem memoria RAM pe un singur cip. În plus, poate rula de sute de ori mai rapid. Unele prototipuri pot stoca datele încât să ajungă la 1 TB pe o dimensiune cât un timbru.

Află ce semnificație are prima literă a numelui tău. Sigur nu te-ai gândit la asta, până acum

De ce pisicile adoră să dărâme obiectele prin casă, de fapt. Explicația vine de la specialiștii în comportamentul felinelor

Citește mai multe despre cum să transformi stick-ul USB în memorie RAM. 

De ce e atât de interesantă descoperirea celor de la Rice? Pentru că poți să faci o memorie RAM să aibă stocare mai mare decât, să zicem un SSD, care înseamnă o memorie permanentă, nu temporară ca în cazul RAM.

În viitor, am putea vedea telefoane mobile, tablete și laptopuri de mici dimensiuni care nu vor mai avea probleme cu memoria. Trebuie doar optimizat tot sistemul pentru ca celelalte componente să fie la nivelul RRAM. În plus, tehnologia va fi pentru mulți ani foarte scumpă.

James Tour de la Universitatea Rice a declarat pentru MIT Technology Review că așteaptă să semneze un contract cu un producător în următoarele săptămâni.

Mai multe detalii tehnice date de creatori pot fi citite chiar pe MIT Technology Review.