Legea lui Moore avanseaza din nou, acum cu ajutorul laserului

, 26 Dec, 16:29

Legea lui Moore este cea care defineste momentan productia de cipuri de silicon. Aceasta spune ca numarul de tranzistori care pot fi amplasati cu costuri reduse pe un cip se dubleaza o data la doi ani. Din acest motiv productia de cipuri si, implicit, de procesoare primeste cate un nou membru din doi in doi ani.

Productia curenta de cipuri se bazeaza pe tehnici fotolitografice care pot produce cipuri cu dimensiuni mai mari decat lungimea de unda aplicata. Un proces descris de curand in articolul „Breaking the Far-Field Diffraction Limit in Optical Nanopatterning via Repeated Photochemical and Electrochemical Transitions in Photochromic Moleculessi publicat in cadrul Physical Review Letters, publicatie MIT, descrie cum se pot produce structuri ale unui cip de 8 ori mai mic decat lungimea de unda cu care este produs. Dupa cum spun cercetatorii, au reusit sa treaca si aceasta bariera in litografie , iar in curand tehnologia va fi testata in cadrul unor laboratoare de productie.

STED – Stimulated Emission Depletion Imaging reprezinta o modificare a caracteristicilor fluorescente ale materialelor de a emite lumina atunci cand este folosita o raza laser. Modificarea puterii acestei raze laser permite modificarea dimensiunii procesului litografic pentru a include un numar mai mare de tranzistori pe aceeasi suprafata.

Se pare ca in curand se va accelera aceasta tranzitie, probabil o data la 2-3 luni va aparea un cip cu o putere mai mare de calcul si o suprafata egala sau mai mica cu cel precedent.

Ți-a plăcut acest articol?
Informează-te și ține-i la curent și pe prietenii tăi.
Abonează-te la newsletter pentru ultimele noutăţi!
Citeşte şi...

Comentarii

Comments are closed.

Aboneaza-te la newsletter

Aboneaza-te acum la newsletter și primești cele mai noi: Articole, Review-uri, Tutoriale și Prețuri direct pe adresa ta de E-mail